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Figure 7. Reverse Recovery Softness Factor vs
dIF/dt
Figure 8. Reverse Recovered Charge vs dIF/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse
Voltage
Figure 10. Reverse Recovery Current and Times
vs Case Temperature
Figure 11. DC Current Derating Curve
Typical Performance Curves (Continued)
2
4
6
8
10
12
100 200 300 400 500 600 700 800 1000900
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
IF
= 16A
IF
= 8A
IF
= 4A
S, REVERSE RECOVERY SOFTNESS FACTOR
3
5
7
9
11
VR
= 780V, T
C
= 125
oC
600
1000
1400
2000
100 200 400 500 600 700 800 900 1000300
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
IF
= 16A
IF
= 8A
IF
= 4A
Q
RR
, REVERSE RECOVERED CHARGE (nC)
400
800
1200
1600
1800
VR
= 780V, T
C
= 125
oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
0
200
300
500
0.03 100.1
1
100
100
400
f = 1MHZ
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
-6.0
-5.6
-5.2
-4.8
-4.4
25 50 75 100 125 150
400
500
450
350
300
tRR
t
RR
, RECOVERY TIMES (ns)
I
RM(REC)
, MAX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
IRM(REC)
IF
= 8A, V
R
= 780V, dI
F/dt = 200A/μs
2
090
100 110
130
150
120
4
6
8
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
140
ISL9R8120P2
,
ISL9R8120S3S
8
A, 1200
V,
STEALTH? Diode
?2002
Fairchild
Semiconductor Corporation
ISL9R8120P2, ISL9R8120S3S
Rev.
B
www.fairchildsemi.com
4
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